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IXTQ 22N60P
IXTV 22N60P
IXTV 22N60PS
22
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
45
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
20
18
16
14
12
V GS = 10V
8V
7.5V
40
35
30
25
V GS = 10V
9V
8V
7.5V
10
20
7V
8
6
7V
15
4
10
6.5V
2
0
6V
5
0
6V
0
1
2
3 4 5
V D S - Volts
6
7
8
9
0
3
6
9
12 15 18
V D S - Volts
21
24
27
30
22
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.4
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
5V
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
V GS = 10V
I D = 22A
I D = 11A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
3
0.5 I D25 Value vs. I D
24
Tem perature
2.8
2.6
V GS = 10V
T J = 125 o C
20
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
16
12
8
1.2
1
0.8
T J = 25 o C
4
0
0
5
10
15 20 25
I D - Amperes
30
35
40
45
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
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IXTV26N60PS 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube